3月27日上午，IEEE Fellow、维也纳工业大学微电子研究所所长Tibor Grasser教授应邀为我院师生作题为“基于二维材料器件的绝缘介质性能基准研究”的学术报告。报告由集成电路科学与工程学院副院长吴幸教授主持。
Grasser教授提出，二维（2D）电子器件虽发展迅速，但其性能潜力尚未充分释放，核心制约因素在于缺乏可与2D材料无缝集成且可量产的绝缘介质。随着晶体管特征尺寸缩减至10nm以下，栅极绝缘体需满足亚纳米级等效氧化层厚度（EOT）、低漏电流、低陷阱密度、高介电强度等严苛指标，这一挑战愈发迫切。
针对过去十年各类绝缘材料基准测试中存在的工艺不成熟、难以实现极端EOT、理论预测存在局限等问题，Grasser教授分享了其团队采用的实验与理论结合的研究方法论。该方法可有效区分工艺限制与材料内在潜力，能更可靠地评估材料在下一代二维器件中的适用性。此外，他还展示了多种极具前景的绝缘体案例，深入分析了其稳定性与可靠性，重点阐释了迟滞效应、偏置温度不稳定性（BTI）等关键问题，并对各种方案进行了综合对比。
在互动环节，现场师生围绕二维材料的界定、二维材料与传统硅基工艺的集成路径，以及二者在偏置温度不稳定性（BTI）效应方面的本质差异等问题，与Grasser教授展开深入探讨，教授逐一作出详尽且富有启发性的解答。
本次讲座不仅深化了师生对二维材料可靠性分析的理解，也为推动二维材料器件可靠性领域的后续研究提供了宝贵的思路与理论指导。
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